脈沖激光分子束沉積系統(tǒng)是高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um，使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。對(duì)靶材的非平衡提取（燒灼）使等離子體的組成與靶材的化學(xué)計(jì)量組成一致。在條件下，靶材的化學(xué)計(jì)量與沉積薄膜的保持一致。所有的固態(tài)材料如金屬、半導(dǎo)體和絕緣體等都可以用PED 技術(shù)沉積各自的薄膜。

? 獨(dú)立的交鑰匙脈沖電子束沉積系統(tǒng)PED

? 外延薄膜沉積，多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)（heterostructures）與超晶格

? 氧化物薄膜沉積時(shí)氧氣兼容

? 升級(jí)選項(xiàng)：離子輔助PED, 連續(xù)組份沉積PED, 進(jìn)樣系統(tǒng)load-lock

? 可附加的沉積源：脈沖激光與射頻/ 直流濺射

? 集成XPS/ARPES UHV 集群系統(tǒng)，原位高真空基片傳送系統(tǒng)